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　　ZK-3C三相可控硅調壓觸發器采用移相觸發控制方式，輸出電壓、電流或功率連續可調，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環技術觸發板的控制原理為一個典型的雙閉環控制，電流環為內環，電壓環為外環。

 

　　ZK-3C三相可控硅調壓觸發器可控硅的觸發主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的變量。當向可控硅施加電壓時，如果陽極可以與陰極相關＋ve，則可控硅變成轉發偏向。因此該晶閘管進入正向阻斷狀態。

 

　　在可控硅觸發中，包括柵極驅動要求（如果使用柵極觸發）、觸發時間（需要保持所施加的觸發激勵時間以使電路鎖存）等各個方面都很重要，各種參數的重要性取決于所使用的可控硅觸發形式。

 

　　對于要使用的柵極可控硅觸發，可控硅要在其擊穿電壓以下運行，并且還允許適當的安全裕度以適應可能發生的任何瞬變，否則可能會發生正向電壓或擊穿觸發。

 

　　開啟可控硅，柵極和陰極之間的正柵極電壓，會產生柵極電流，其中電荷被注入器件的內部p層，這有效地降低了發生正向擊穿的電壓。可以看出，柵極電流決定了可控硅切換到其導通狀態的正向電壓。柵極電流越高，正向擊穿電壓越低。

 

　　低電流高靈敏度可控硅在非常低的電流水平下觸發，因此需要外部柵極－陰極電阻來防止柵極區域中熱產生的泄漏電流觸發。然而，柵極陰極電阻繞過了由陽極電壓（dv/dt）的快速變化率引起的一些內部陽極電流。